Термоэмиссия вольфрама, молибдена, тантала, ниобия, рения в парах щелочных металлов

Термоэмиссия вольфрама, молибдена, тантала, ниобия, рения в парах щелочных металлов изучалась в работах с помощью термоэдеитронных проекторов. Объемно-центрированные металлы в парах цезия дают самую сильную эмиссию при высоких температурах катода с наиболее плотноупакованной плоскости, которая на чистом металле имеет самую высокую работу выхода. Зависимость плотностей электродного и ионного токов от обратной температуры для разных кристаллографических граней вольфрама в парах цезия. В случае гранецентрированных металлов самая высокая эмиссия парах цезия также наблюдается от наиболее плотноупакованной плоскости, которая имеет наиболее высокую работу выхода в вакууме. Гексагональный рений в парах цезия дает сильную эмиссию с трех плотноупакованных плоскостей. Съем максимального термоэлектронного тока с наиболее плотноупакованной плоскости кристалла наблюдается в: диапазоне температур, в котором металл частично покрыт цезием. В области более полного цезиевого покрытия такой закономерности не обнаружено. Во всех случаях работа выхода на плотноупакованных плоскостях в парах цезия превосходит потенциал ионизации цезия, составляющий 3,89 эе. Эмиссия от других кристаллографических плоскостей была незначительной. Эмиссионная картина, полученная на молибдене в парах калия, была совершенно отличной от эмиссионной картины молибдена в цезиевых парах. В случае паров калия наблюдались пятна также от других кристаллографических плоскостей с высокими индексами. В вакууме эти плоскости имеют низкую работу выхода. Рядом исследований удалось установить, что когда работа выхода плоскости основного металла больше потенциала ионизации парообразного щелочного металла, то при высоких температурах эмиссия имеет место только с плоскостей с высокой работой выхода. В случае соизмеримости этих величин наблюдается сложная эмиссионная картина. Соотношение работы выхода и потенциала ионизации в значительной мере определяет адсорбцию щелочных металлов на поверхностях эмиттеров.